VishaySiliconix推出新型MOSFET超低导通电阻 - Vishay电阻 - 工业新闻

时间:2019-01-12 12:28:25 来源:涌金新闻网 作者:匿名



Vishay Siliconix推出新型MOSFET超低导通电阻

2010/10/18 9: 29: 56

资料来源:VISHAY

宾夕法尼亚,MALVERN - 2010年10月18日 - 日前,Vishay Intertechnology,Inc。(纽约证券交易所代码:VSH)宣布推出四款新型500V,16A N沟道功率MOSFET - SiHP16N50C,SiHF16N50C,SiHB16N50C和SiHG16N50C。新型MOSFET具有超低的最大导通电阻,在10V栅极驱动时为0.38ω,栅极电荷为68nC,采用TO-220AB,TO-220 FULLPAK,D2PAK和TO-247AC封装。

SiHP16N50C(TO-220AB),SiHF16N50C(TO-220 FULLPAK),SiHB16N50C(D2PAK)和SiHG16N50C(TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的导通损耗,从而实现功率因数校正(PFC)升压电路节能脉冲宽度调制(PWM)半桥和LLC拓扑结构,适用于各种应用,包括笔记本电脑AC适配器,PC电源,LCD TV和开放式电源。

除了低导通电阻外,这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷和导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的品质因数(FOM)。这些MOSFET的FOM仅为25.84ω-nC。

新型N沟道MOSFET采用Vishay Planar Cell技术生产,该技术专为降低通态电阻而设计,可承受雪崩和通信模式下的高能脉冲。与上一代MOSFET相比,SiHP16N50C,SiHF16N50C,SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度和更低的开关损耗。这些器件符合RoHS标准2002/95/EC,并经过全面的雪崩测试,可靠运行。

新型功率MOSFET的样品现已上市,并已批量生产,大宗订单的供货周期为8至10周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology,Inc。是纽约证券交易所(VSH)上市的财富1000强公司,该公司是全球分立半导体(二极管,MOSFET和红外光电子器件)的集合(二极管,整流器,MOSFET,光电子器件和选择之一) IC和无源电子元件(电阻器,电感器,电容器,传感器和转换器)的最大制造商。这些组件几乎用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空航天,电子设备和设备中的所有类型的电子设备和设备。电源和医疗市场(这些组件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空航天和医疗市场的各种电子设备).Vishay已成为产品创新,成功收购战略的全球领导者和“一站式”服务。有关Vishay的更多信息,请访问网站。

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